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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
11.7
写入速度,GB/s
8.1
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1832
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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