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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.7
写入速度,GB/s
2,123.3
9.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2888
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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