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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2148
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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