RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
44
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2148
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link