RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2922
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link