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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
49
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3518
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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