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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
1847
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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