RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3422
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link