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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
43
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
36
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3422
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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