RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3422
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link