RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
49
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
17
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3623
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link