RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
49
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
17
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
20.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3623
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link