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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
49
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3166
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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