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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
10.1
17.6
写入速度,GB/s
7.8
12.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3166
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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