RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
49
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3437
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link