RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3207
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link