RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3207
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link