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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3245
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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