RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2524
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link