RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2524
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link