G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 16.8

Среднее значение в тестах

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 28

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.1 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 24
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 16.8
Скорость записи, Гб/сек

11.5 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3067 3009

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM