RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2256
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link