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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
50
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
24
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2256
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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