RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3609
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link