RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3609
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Comparaison des RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link