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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
59
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
59
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2025
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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