RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2103
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link