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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global
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Super Talent F26UB16GH 16GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 6.5
    Valor medio en las pruebas
Super Talent F26UB16GH 16GB Razones a tener en cuenta
Super Talent F26UB16GH 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 30
    En -3% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 8500
    En 2.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 8.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 6.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1479 left arrow 1769

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Super Talent F26UB16GH 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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