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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Super Talent F26UB16GH 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
10.6
8.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.8
6.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Super Talent F26UB16GH 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
30
周辺 -3% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
29
読み出し速度、GB/s
10.6
8.7
書き込み速度、GB/秒
6.8
6.5
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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1769
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Frequency (Mhz) *
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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