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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2432
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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