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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
47
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2652
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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