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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2652
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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