RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3488
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link