RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3488
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link