RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3545
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link