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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3557
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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