RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
77
En -148% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link