RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link