RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
77
Intorno -148% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
31
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link