RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2955
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link