RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
47
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2973
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link