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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2422
3098
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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