Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Сообщить об ошибке

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 43

Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 23
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 17.0
Скорость записи, Гб/сек

9.0 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2422 3098

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB

Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB

Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston 99U5700-014.A00G 8GB

Kingston 99U5700-014.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

модули RAM