RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
76
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1718
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link