RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
76
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1718
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link