RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
76
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1718
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link