RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
64
Около 56% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
64
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2205
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link