RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
64
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2205
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link