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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
64
周辺 56% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
64
読み出し速度、GB/s
12.7
17.5
書き込み速度、GB/秒
7.5
9.3
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
2205
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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