RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
79
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
79
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
1710
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link