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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
47
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
19
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3314
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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